一种边缘钝化的晶硅电池与钙钛矿晶硅叠层电池及制备的制作方法

1.一种边缘钝化的晶硅电池，其特征在于，所述晶硅电池为切割后电池，所述切割后电池的切割端面上覆盖有gese2钝化层。

2.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于，所述gese2钝化层的厚度为1~40nm。

3.一种权利要求1或2所述晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述切割后电池由n型太阳能电池或p型电池太阳能电池切割后得到；

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述沉积前将至少两片切割后电池进行层叠设置，并使切割后电池的切割端面位于同一个垂直侧面上，得到层叠电池，再对所得层叠结构的顶面进行遮挡，得到遮挡后层叠电池；

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的方法包括化学气相沉积，所述化学气相沉积采用的前驱体包括se粉与gese粉；

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述光钝化包括采用光强度为20~100个光强度的太阳光对沉积的gese2层进行照射；

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

9.一种钙钛矿晶硅叠层电池，其特征在于，所述钙钛矿晶硅叠层电池包括权利要求1或2所述的晶硅电池。

10.一种权利要求9所述钙钛矿晶硅叠层电池的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：