一种测量数据模型的建立方法、测量方法及工艺控制方法与流程

1.一种测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述方法还包括：进行步骤a3时，对得到所述沟槽结构的所述参考控片进行切片后利用透射电镜扫描以获取所述沟槽结构的所述预设形貌特征；检验步骤a4中每种测量条件对应得到的所述沟槽结构的所述预设形貌特征与步骤a2中每种测量条件对应得到的所述深槽结构的所述预设形貌特征之间的相关性；当所述相关性处于强相关范围内时，判断所述测量数据模型可靠；当相关性处于强相关范围外时，增大所述第一预设深度，重复步骤a3到步骤a5，更新所述测量数据模型。

3.根据权利要求1或2所述的测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述方法还包括：采用与所述测量条件中所述预设刻蚀条件、所述第一半导体结构和所述工艺条件不同的检验刻蚀条件、检验第一半导体结构和/或检验工艺条件，于所述检验刻蚀条件下通过所述检验第一半导体结构在工艺晶圆上进行所述刻蚀工艺得到深槽结构，所述检验第一半导体结构通过所述检验工艺条件制备在所述工艺晶圆上；

4.根据权利要求1所述的测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述深槽结构的深宽比大于等于10且所述深槽结构的深度大于等于1微米。

5.根据权利要求4所述的测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述第一预设深度为100纳米-500纳米。

6.根据权利要求1所述的测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述参考控片的厚度大于等于所述工艺晶圆的厚度。

7.根据权利要求1所述的测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述深槽结构的所述预设形貌特征包括所述深槽结构开口处的关键尺寸、所述深槽结构的第二预设深度的关键尺寸、所述深槽结构开口处的侧壁与顶面之间的夹角或所述深槽结构侧面的形貌异常点的位置或大小中的一种或一种以上的任意组合，所述第二预设深度小于所述第一预设深度。

8.根据权利要求1所述的测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述第一半导体结构包括光刻层；所述刻蚀工艺中通过对所述光刻层进行曝光显影得到图形化的所述光刻层；

9.一种测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：

10.一种工艺控制方法，其特征在于，所述工艺控制方法包括：