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堆叠芯片结构及制备方法、封装结构及制备方法与流程

2026-01-02 09:20:07 207次浏览
堆叠芯片结构及制备方法、封装结构及制备方法与流程

本申请涉及半导体,特别是涉及一种堆叠芯片结构及制备方法、封装结构及制备方法。


背景技术:

1、随着半导体领域的急速发展,芯片封装技术也在不断演进和创新。封装技术是半导体制造过程中至关重要的一环,它不仅保护了芯片,还确保了芯片与外部电路的有效连接。

2、目前的芯片堆叠封装方案主要有两种,第一种是普通芯片直接堆叠后采用引线键合技术(wire bonding,简称wb)互联,另一种方法是在芯片上先做硅通孔(throughsilicon via,简称tvs),然后采用倒装封装技术(flip-chip,简称fc)互联。但是采用wb技术的芯片堆叠封装方案中,由于需要留空间用于wb互联,所以产品的尺寸会较大,而采用tvs技术与fc技术的互联方案,虽然尺寸能做较小,但是tvs工艺成本较高。

3、基于此,如何减小堆叠芯片的产品尺寸成为了本领域技术人员亟需解决的技术问题。


技术实现思路

1、基于此,有必要针对以上问题提供一种既能降低产品的尺寸且又能降低成本的堆叠芯片结构及制备方法、封装结构及制备方法。

2、为了实现上述目的,一方面,本发明提供了一种堆叠芯片结构,包括:

3、堆叠芯片,包括依次堆叠设置的多个芯片结构,所述芯片结构包括芯片、塑封层以及第一信号线,所述第一信号线位于所述芯片远离所述塑封层的一侧且连接所述芯片,所述第一信号线延伸至所述芯片结构的侧壁;

4、第二信号线,位于所述堆叠芯片的侧壁,且连接至少一个所述芯片结构的与其对应的所述第一信号线。

5、在其中一个实施例中,所述芯片结构还包括焊盘,所述第一信号线与所述焊盘连接。

6、在其中一个实施例中,述堆叠芯片还包括邦定胶,所述邦定胶位于相邻两个所述芯片结构之间。

7、在其中一个实施例中,所述堆叠芯片结构还包括凸点,所述凸点位于所述堆叠芯片结构的第一表面。

8、另一方面,本发明提供了一种封装结构,包括:

9、基板以及堆叠芯片结构;所述堆叠芯片结构为上述任一所述的堆叠芯片结构;

10、所述堆叠芯片结构的第一表面与所述基板键合。

11、另一方面,本发明提供了一种堆叠芯片结构的制备方法,包括:

12、形成塑封结构,所述塑封结构包括芯片、塑封层以及第一信号线,所述塑封层覆盖多个间隔设置的所述芯片,所述第一信号线位于所述芯片远离所述塑封层的一侧且连接所述芯片;

13、将多个所述塑封结构依次堆叠设置以形成堆叠结构;

14、对所述堆叠结构进行切割处理,以形成堆叠芯片,所述堆叠芯片包括依次堆叠设置的多个芯片结构,所述芯片结构包括所述芯片、所述塑封层以及所述第一信号线,且所述芯片结构的侧壁暴露出所述第一信号线;

15、于所述堆叠芯片的侧壁形成第二信号线,所述第二信号线将所述堆叠芯片侧壁暴露出的对应的所述第一信号线连接。

16、在其中一个实施例中,所述形成塑封结构,包括:

17、形成初始塑封结构,所述初始塑封结构包括所述芯片以及所述塑封层,所述塑封层覆盖多个间隔设置的所述芯片;

18、于所述初始塑封结构设有所述芯片的一侧形成所述第一信号线,所述第一信号线连接所述芯片。

19、在其中一个实施例中,所述形成初始塑封结构,包括:

20、提供载板;

21、将所述芯片贴装在所述载板的一侧;

22、形成覆盖所述芯片以及所述载板的所述塑封层;

23、去除所述载板。

24、在其中一个实施例中,所述于所述堆叠芯片侧壁形成第二信号线,包括:

25、在所述堆叠芯片侧壁形成籽晶材料层;

26、在所述籽晶材料层背离所述堆叠芯片的一侧形成图形化的光刻胶;

27、在所述图形化的光刻胶的开口内电镀形成第二信号线;

28、去除所述图形化的光刻胶;

29、基于所述第二信号线刻蚀所述籽晶材料层,形成籽晶层。

30、另一方面,本发明提供了一种封装结构的制备方法,包括:

31、提供基板与堆叠芯片结构;所述堆叠芯片结构为上述任一所述的堆叠芯片结构;

32、将所述堆叠芯片结构的第一表面贴装在所述基板的一侧。

33、与现有技术相比,上述技术方案具有以下优点:

34、上述堆叠芯片结构包括堆叠芯片以及第二信号线,其中堆叠芯片包括多个依次堆叠设置的芯片结构,该芯片结构包括芯片、塑封层以及第一信号线,该第一信号线连接芯片并延伸至芯片结构的侧壁,从而让芯片结构需要引出的信号通过第一信号线引至侧壁,第二信号线位于堆叠芯片的侧壁上,连接多个芯片结构与其对应的第一信号线,由于第二信号线直接位于堆叠芯片的侧壁上,不再需要预留连接空间,所以可以明显减小堆叠芯片结构的占用空间,并且由于第二信号线的制备简单,因此形成该堆叠芯片结构成本更低。



技术特征:

1.一种堆叠芯片结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的堆叠芯片结构,其特征在于,所述芯片结构还包括焊盘,所述第一信号线与所述焊盘连接。

3.根据权利要求1所述的堆叠芯片结构,其特征在于,所述堆叠芯片还包括邦定胶,所述邦定胶位于相邻两个所述芯片结构之间。

4.根据权利要求1所述的堆叠芯片结构,其特征在于,所述堆叠芯片结构还包括凸点,所述凸点位于所述堆叠芯片结构的第一表面。

5.一种封装结构,其特征在于,包括:

6.一种堆叠芯片结构的制备方法,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6所述的堆叠芯片结构的制备方法,其特征在于,所述形成塑封结构,包括:

8.根据权利要求7所述的堆叠芯片结构的制备方法,其特征在于,所述形成初始塑封结构,包括:

9.根据权利要求6所述的堆叠芯片结构的制备方法,其特征在于,所述于所述堆叠芯片侧壁形成第二信号线,包括:

10.一种封装结构的制备方法,其特征在于,包括:


技术总结
本发明涉及一种堆叠芯片结构及制备方法、封装结构及制备方法,涉及半导体技术领域,该堆叠芯片结构包括堆叠芯片以及第二信号线,其中堆叠芯片包括多个依次堆叠设置的芯片结构,该芯片结构包括芯片、塑封层以及第一信号线,该第一信号线连接芯片并延伸至芯片结构的侧壁,从而让芯片结构需要引出的信号通过第一信号线引至侧壁,第二信号线位于堆叠芯片的侧壁上,连接多个芯片结构与其对应的第一信号线,由于第二信号线直接位于堆叠芯片的侧壁上,不再需要预留连接空间,所以可以明显减小堆叠芯片结构的占用空间,此外,由于第二信号线的制备简单,所以可以明显降低堆叠芯片结构的制备成本。

技术研发人员:杨志,倪洽凯,何佳奕,郑良超,赵梦婕
受保护的技术使用者:长电集成电路(绍兴)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/26
文档序号 : 【 40124261 】

技术研发人员:杨志,倪洽凯,何佳奕,郑良超,赵梦婕
技术所有人:长电集成电路(绍兴)有限公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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杨志倪洽凯何佳奕郑良超赵梦婕长电集成电路(绍兴)有限公司
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