一种二元弛豫反铁电储能陶瓷材料及其制备方法和应用
技术特征:
1.一种二元弛豫反铁电储能陶瓷材料,其特征在于:该储能陶瓷材料的化学式为(1-x)agnbo3-xbi(mg2/3nb1/3)o3,其中x=0.005~0.01。
2.根据权利要求1所述的二元弛豫反铁电储能陶瓷材料,其特征在于:所述储能陶瓷材料的化学式为0.995agnbo3-0.005(bi1/3mg2/3)nbo3,该储能陶瓷材料的储能密度wrec=4.16j/cm3,转化效率η=51.82%,击穿场强eb=200kv/cm。
3.一种权利要求1所述的二元弛豫反铁电储能陶瓷材料的制备方法,其特征在于具体步骤为:
4.根据权利要求3所述的二元弛豫反铁电储能陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤s1中所述ago的纯度为99.7%,nb2o5的纯度为99.9%,bi2o3的纯度为99.99%,mgo的纯度为98%。
5.根据权利要求3所述的二元弛豫反铁电储能陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤s2中球磨过程以200~400r/min的转速球磨18~30h。
6.根据权利要求3所述的二元弛豫反铁电储能陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤s5中压制过程为在200mpa的等静压作用下压制成直径为1cm、厚度为1.2mm的圆片状胚体。
7.权利要求1或2所述二元弛豫反铁电储能陶瓷材料在制备陶瓷电容器中的应用。
技术总结
本发明公开了一种二元弛豫反铁电储能陶瓷材料及其制备方法和应用,其中二元弛豫反铁电储能陶瓷材料的化学式为(1‑x)AgNbO<subgt;3</subgt;‑xBi(Mg<subgt;2/3</subgt;Nb<subgt;1/3</subgt;)O<subgt;3</subgt;,其中x=0.005~0.01,本发明还具体公开了二元弛豫反铁电储能陶瓷材料的制备方法及其在制备陶瓷电容器中的应用。本发明通过加入Bi(Mg<subgt;2/3</subgt;Nb<subgt;1/3</subgt;)O<subgt;3</subgt;对AgNbO<subgt;3</subgt;反铁电储能陶瓷材料及制备工艺进行优化,最终获得高质量的(1‑x)AgNbO<subgt;3</subgt;‑xBi(Mg<subgt;2/3</subgt;Nb<subgt;1/3</subgt;)O<subgt;3</subgt;储能陶瓷材料,该储能陶瓷材料能够有效稳定AgNbO<subgt;3</subgt;在室温下反铁电相的稳定性,进而大幅度提高储能陶瓷材料的储能密度和转化效率。
技术研发人员:张娜,贾佩佩,宋桂林,朱苗苗,张晓明,潘千禧,张欣欣
受保护的技术使用者:河南师范大学
技术研发日:
技术公布日:2024/11/26
文档序号 :
【 40126461 】
技术研发人员:张娜,贾佩佩,宋桂林,朱苗苗,张晓明,潘千禧,张欣欣
技术所有人:河南师范大学
备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明 :此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
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