用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置与流程
技术特征：
1.用于vcsel芯片湿法氧化孔径的监测调控方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用于vcsel芯片湿法氧化孔径的监测调控方法，其特征在于，根据所述vcsel芯片氧化孔径优化请求的vcsel芯片应用场景类型，采集氧化孔形状参数和氧化孔均匀系数，包括：
3.如权利要求2所述的用于vcsel芯片湿法氧化孔径的监测调控方法，其特征在于，根据所述vcsel芯片应用场景类型，采集一一对应的氧化孔形状参数历史截面数据集与氧化孔均匀系数历史截面数据集，包括：
4.如权利要求1所述的用于vcsel芯片湿法氧化孔径的监测调控方法，其特征在于，根据所述氧化孔形状参数和所述氧化孔均匀系数，通过光束质量预测器进行映射，生成光束预测直径、光束预测发散角、光束预测轮廓和桶中预测功率，包括：
5.如权利要求1所述的用于vcsel芯片湿法氧化孔径的监测调控方法，其特征在于，根据所述光束预测直径、所述光束预测发散角、所述光束预测轮廓和所述桶中预测功率，选取满足所述光束期望直径、所述光束期望发散角、所述光束期望轮廓和所述桶中期望功率的湿法氧化控制参数，设为监测调控基准参数，包括：
6.如权利要求5所述的用于vcsel芯片湿法氧化孔径的监测调控方法，其特征在于，根据所述光束期望直径、所述光束期望发散角、所述光束期望轮廓和所述桶中期望功率对所述光束预测直径、所述光束预测发散角、所述光束预测轮廓和所述桶中预测功率进行校验，获得光束质量校验结果，包括：
7.如权利要求5所述的用于vcsel芯片湿法氧化孔径的监测调控方法，其特征在于，当所述光束质量校验结果为通过，根据所述氧化孔形状参数和所述氧化孔均匀系数进行湿法氧化控制参数寻优，获得目标湿法氧化控制参数，包括：
8.如权利要求7所述的用于vcsel芯片湿法氧化孔径的监测调控方法，其特征在于，基于所述氧化温度分布约束区间、所述氧化时长分布约束区间、所述氮气流量分布约束区间、所述氮气浓度分布约束区间、所述水蒸气流量分布约束区间、所述水蒸气浓度分布约束区间对所述湿法氧化控制历史截面数据集进行归一化降维分布，获得湿法氧化控制粒子分布坐标，包括：
9.用于vcsel芯片湿法氧化孔径的监测调控装置，其特征在于，所述装置用于实施权利要求1-8任一项所述的用于vcsel芯片湿法氧化孔径的监测调控方法，所述装置包括：
技术总结
本发明公开了用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置，涉及垂直腔面发射激光器相关领域，该方法包括：获得光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率；根据VCSEL芯片应用场景类型，采集氧化孔形状参数和氧化孔均匀系数；通过光束质量预测器进行映射，生成光束预测直径、光束预测发散角、光束预测轮廓和桶中预测功率；选取满足光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率的湿法氧化控制参数，设为监测调控基准参数；进行湿法氧化监控。解决了现有VCSEL芯片湿法氧化孔径调控存在的精度控制不足的技术问题，达到了提高VCSEL芯片氧化孔径的精度控制水平的技术效果。
技术研发人员：路庆海,张拥军,倪春丽,沈坚强
受保护的技术使用者：江苏永鼎股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/26
技术研发人员：路庆海,张拥军,倪春丽,沈坚强
技术所有人：江苏永鼎股份有限公司
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