一种MOFs基混合基质隔膜的原位制备方法及其应用

1.一种mofs基混合基质隔膜的原位制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的原位制备方法，其特征在于，所述金属盐和所述有机配体的摩尔比为1:10～10:1；

3.如权利要求1所述的原位制备方法，其特征在于，所述含有高分子聚合物的溶液，所使用的溶剂选自甲醇、乙醇、乙腈、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺中的一种，优选为二甲基甲酰胺。

4.如权利要求1所述的原位制备方法，其特征在于，所述基底选自玻璃、铝箔或铜箔中的一种，优选为玻璃。

5.如权利要求1所述的原位制备方法，其特征在于，所述加热为在40-200℃干燥8-72小时；

6.如权利要求1-5任一项所述原位制备方法得到的mofs基混合基质隔膜。

7.如权利要求6所述的mofs基混合基质隔膜，其特征在于，包含高分子聚合物和mofs，所述mofs原位生长在所述高分子聚合物形成的隔膜上。

8.如权利要求6所述的mofs基混合基质隔膜在锂、钠、钾金属电池及离子电池中的应用。

9.一种正极极片，其特征在于，包括权利要求6所述的mofs基混合基质隔膜。

10.一种电池，其特征在于，包括权利要求6所述的mofs基混合基质隔膜或权利要求9所述的正极极片。