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芯片封装结构、芯片封装结构的制作方法及电子设备与流程

2025-10-27 11:20:01 538次浏览
芯片封装结构、芯片封装结构的制作方法及电子设备与流程

本申请涉及半导体,具体而言,涉及一种芯片封装结构、芯片封装结构的制作方法及电子设备。


背景技术:

1、目前,在芯片的封装过程中,通常需要进行二次封装。然而,这种封装方法工艺复杂,成本较高,并且芯片封装结构的厚度较大。


技术实现思路

1、为了至少克服现有技术中的上述不足,本申请的目的在于提供一种芯片封装结构、芯片封装结构的制作方法及电子设备。

2、第一方面,本申请实施例提供一种芯片封装结构,所述芯片封装结构包括:

3、中介层,所述中介层包括多个间隔设置的导电柱及填充所述导电柱之间间隙的塑封材料;

4、位于所述中介层一侧的重布线层;

5、位于所述重布线层远离所述中介层的一侧的芯片,所述芯片与多个所述导电柱电性连接。

6、在一种可能的实现方式中,所述导电柱远离所述重布线层的一侧设置有外部引脚。

7、在一种可能的实现方式中,所述芯片封装结构还包括填充层,所述填充层设置于所述芯片及所述重布线层之间。

8、在一种可能的实现方式中,所述芯片靠近所述重布线层的一侧设置有多个连接引脚,所述芯片通过所述连接引脚与所述重布线层电性连接。

9、在一种可能的实现方式中,所述塑封材料包括环氧树脂模塑料以及味之素增层膜。

10、第二方面,本申请实施例还提供一种芯片封装结构的制作方法,所述芯片封装结构的制作方法包括:

11、提供一基板,在所述基板的一侧形成多个间隔设置的导电柱,对多个所述导电柱进行塑封,得到中介层;

12、在所述中介层远离所述基板的一侧形成重布线层;

13、提供一芯片,所述芯片设置于所述重布线层远离所述中介层的一侧,所述芯片与多个所述导电柱电性连接。

14、在一种可能的实现方式中,在所述提供一芯片,所述芯片设置于所述重布线层远离所述中介层的一侧,所述芯片与多个所述导电柱电性连接的步骤之后,所述方法还包括:

15、移除所述基板;

16、在所述导电柱远离所述重布线层的一侧形成外部引脚。

17、在一种可能的实现方式中,在所述提供一芯片,所述芯片设置于所述重布线层远离所述中介层的一侧,所述芯片与多个所述导电柱电性连接的步骤之后,所述方法还包括:

18、在所述芯片及所述重布线层之间形成填充层。

19、在一种可能的实现方式中,所述在所述中介层远离所述基板的一侧形成重布线层的步骤,包括:

20、在所述中介层远离所述基板的一侧形成多个重布线层。

21、第三方面,本申请实施例还提供一种电子设备,所述电子设备包括上述第一方面所述的芯片封装结构或上述第二方面所述的芯片封装结构的制作方法制成的芯片封装结构。

22、基于上述任意一个方面,本申请实施例提供的芯片封装结构、芯片封装结构的制作方法及电子设备,通过在重布线层的两侧分别设置导电柱及芯片,可以使芯片通过重布线层与导电柱电性连接,工艺简单,并且可以避免在封装过程中造成焊接不良,同时缓解因封装不匹配导致的回流应力,此外,通过降低导电柱的高度,能够有效缩减芯片封装结构的厚度,降低芯片封装结构的制作成本。



技术特征:

1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述导电柱远离所述重布线层的一侧设置有外部引脚。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构还包括填充层,所述填充层设置于所述芯片及所述重布线层之间。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片靠近所述重布线层的一侧设置有多个连接引脚,所述芯片通过所述连接引脚与所述重布线层电性连接。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封材料包括环氧树脂模塑料以及味之素增层膜。

6.一种芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

7.根据权利要求6所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在所述提供一芯片,所述芯片设置于所述重布线层远离所述中介层的一侧,所述芯片与多个所述导电柱电性连接的步骤之后,所述方法还包括:

8.根据权利要求6所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在所述提供一芯片,所述芯片设置于所述重布线层远离所述中介层的一侧,所述芯片与多个所述导电柱电性连接的步骤之后,所述方法还包括:

9.根据权利要求6所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述在所述中介层远离所述基板的一侧形成重布线层的步骤,包括:

10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括权利要求1-5任意一项所述的芯片封装结构或权利要求6-9任意一项所述的芯片封装结构的制作方法制成的芯片封装结构。


技术总结
本申请提供一种芯片封装结构、芯片封装结构的制作方法及电子设备,涉及半导体制造技术领域,所述芯片封装结构包括中介层、重布线层及芯片,中介层包括多个间隔设置的导电柱及填充导电柱之间间隙的塑封材料;重布线层位于中介层一侧;芯片位于重布线层远离中介层的一侧的芯片,芯片与多个导电柱电性连接,在上述结构中,通过在重布线层的两侧分别设置导电柱及芯片,可以使芯片通过重布线层与导电柱电性连接,工艺简单,并且可以避免在封装过程中造成焊接不良,同时缓解因封装不匹配导致的回流应力,此外,通过降低导电柱的高度,能够有效缩减芯片封装结构的厚度,降低芯片封装结构的制作成本。

技术研发人员:何迪,李高林
受保护的技术使用者:成都奕成集成电路有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/21
文档序号 : 【 40071309 】

技术研发人员:何迪,李高林
技术所有人:成都奕成集成电路有限公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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何迪李高林成都奕成集成电路有限公司
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