外延粗化方法、发光二极管及发光二极管制备方法与流程

本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种外延粗化方法、发光二极管及发光二极管制备方法。

背景技术：

1、发光二极管能够覆盖从紫外到红外的波长范围。当前低分辨率示器市场仍以液晶显示器(liquid crystal display，lcd)为主流，微型发光二极管(micro light emittingdiode，micro led)因为本身的优点在低分辨率显示器市场逐步受到大家的重视。

2、相关技术提供了一种微型发光二极管，包括:衬底、键合层、第二半导体层、发光层、第一半导体层、钝化层和电极结构。微型发光二极管在制造过程中，先在临时衬底上制作第一半导体层、发光层和第二半导体层，然后对第二半导体层表面进行粗化处理，然后键合到衬底上。

3、然而相关技术提供的粗化处理方法，容易造成粗化均匀性较差，不利于发光二极管的发光均匀性。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种外延粗化方法、发光二极管及发光二极管制备方法，改善粗化均匀性，有利于发光二极管的发光均匀性。所述技术方案如下：

2、一方面，提供一种外延粗化方法，所述方法包括：

3、在外延片表面形成粗化开口，所述粗化开口包括沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘排布的多排图形化开口，且每排所述图形化开口中，沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘的方向，所述图形化开口尺寸逐渐增大；

4、将所述外延片放入粗化溶液中；

5、控制所述外延片交替进行顺时针和逆时针旋转，直到粗化完成。

6、可选地，所述图形化开口为三角形开口，沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘的方向，所述三角形开口的边长等比例增大。

7、可选地，所述图形化开口的面积满足如下公式：

8、5s1/s2<v<10s1/s2；

9、其中，s1表示一排所述图形化开口中最靠近所述外延片的中心的图形化开口的面积，s2表示一排所述图形化开口中最靠近所述外延片的边缘的图形化开口的面积，v为所述粗化溶液的流动速度，单位为mm/s。

10、可选地，所述控制所述外延片交替进行顺时针和逆时针旋转，包括：

11、控制所述外延片按照2～5mm/s的速度交替进行顺时针和逆时针旋转。

12、另一方面，提供一种发光二极管制备方法，所述方法包括：

13、在临时衬底上形成依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，得到外延片；

14、在所述外延片表面形成粗化开口，所述粗化开口包括沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘排布的多排图形化开口，且每排所述图形化开口中，沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘的方向，所述图形化开口尺寸逐渐增大；

15、将所述外延片放入粗化溶液中；

16、控制所述外延片交替进行顺时针和逆时针旋转，直到粗化完成；

17、通过键合层将所述外延片键合到衬底上，并去除所述临时衬底；

18、对所述外延片进行图形化处理，形成台阶结构；

19、制作钝化层，所述钝化层覆盖所述外延片；

20、对所述钝化层进行图形化处理，以形成第一通孔和第二通孔；

21、制作通过所述第一通孔和所述第二通孔与所述外延片连接的电极结构。

22、可选地，所述图形化开口为三角形开口，沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘的方向，所述三角形开口的边长等比例增大。

23、可选地，所述图形化开口的面积满足如下公式：

24、5s1/s2<v<10s1/s2；

25、其中，s1表示一排所述图形化开口中最靠近所述外延片的中心的图形化开口的面积，s2表示一排所述图形化开口中最靠近所述外延片的边缘的图形化开口的面积，v为所述粗化溶液的流动速度，单位为mm/s。

26、可选地，所述控制所述外延片交替进行顺时针和逆时针旋转，包括：

27、控制所述外延片按照2～5mm/s的速度交替进行顺时针和逆时针旋转。

28、可选地，所述方法还包括：

29、在对所述外延片进行粗化处理时，控制所述外延片在垂直于所述外延片表面的方向振动。

30、另一方面，提供一种发光二极管，该发光二极管采用如前任一项所述的方法制成。

31、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

32、在本公开实施例中，在对外延片表面进行粗化处理时，先在外延片表面形成粗化开口，并且沿着外延片的中心到外延片的边缘的方向，图形化开口尺寸逐渐增大，由于粗化溶液是从外延片下边缘向中间流动的，因此，这种设计使得先接触粗化溶液的开口更大，后接触溶液的开口更小，使得不同开口的被腐蚀程度更为均一，从而使得粗化更均匀。另外，在旋转外延片时，采用顺时针和逆时针旋转方式，使得外延片各个位置与流动的粗化溶液接触更均匀，实现更加均匀的粗化效果。综上，通过上述2个方面改善了粗化均匀性，有利于发光二极管的发光均匀性。

1.一种外延粗化方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图形化开口为三角形开口，沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘的方向，所述三角形开口的边长等比例增大。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述图形化开口的面积满足如下公式：

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述控制所述外延片交替进行顺时针和逆时针旋转，包括：

5.一种发光二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述图形化开口(1001)为三角形开口，沿着所述外延片(1000)的中心到所述外延片(1000)的边缘的方向，所述三角形开口的边长等比例增大。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述图形化开口(1001)的面积满足如下公式：

8.根据权利要求5至7任一项所述的方法，其特征在于，所述控制所述外延片(1000)交替进行顺时针和逆时针旋转，包括：

9.根据权利要求5至7任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管采用如权利要求5至9任一项所述的方法制成。