晶圆处理方法及装置与流程

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆处理方法及装置。

背景技术：

1、在半导体制造领域，晶圆是重要的基础元件，其表面形貌的质量直接影响最终产品的性能。晶圆在制造过程中的平整度和均匀性对于高精度的芯片制造至关重要。

2、现有技术中，在对晶棒进行切割得到晶圆后，还需要对加工得到的晶圆进行特定的后续处理来改善晶圆的形貌，不同批次的晶圆需要进行不同的后续处理。但加工得到的晶圆往往难以区分，无法判断不同的晶圆是否属于同一批次，这样无法针对不同批次的晶圆进行后续处理。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆处理方法及装置，能够准确区分晶圆是否属于同一批次。

2、为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：

3、一种晶圆处理方法，包括：

4、获取晶圆的正面和背面的高度分布信息；

5、将所述晶圆划分为多个区域，根据所述高度分布信息得到所述晶圆每个区域的形貌信息；

6、根据所述晶圆每个区域的形貌信息得到每个区域的斜率值；

7、根据所述晶圆每个区域的斜率值对晶圆进行分组。

8、一些实施例中，所述获取晶圆的正面和背面的高度分布信息包括：

9、将所述晶圆竖直放入双面fizeau干涉仪中，利用波长相移得到所述晶圆的高度分布信息，所述高度分布信息包括所述晶圆正面每个位置相对于参考平面的高度和所述晶圆背面每个位置相对于参考平面的高度。

10、一些实施例中，所述根据所述高度分布信息得到所述晶圆每个区域的形貌信息包括：

11、计算所述晶圆每个位置相对于参考平面的基准高度，所述基准高度＝(h1+h2)/2，其中，h1为所述晶圆正面每个位置相对于参考平面的高度，h2为所述晶圆背面每个位置相对于参考平面的高度；

12、根据所述晶圆每个位置的基准高度得到所述晶圆每个区域的形貌信息。

13、一些实施例中，所述根据所述晶圆每个区域的形貌信息得到每个区域的斜率值包括：

14、根据所述晶圆每个区域的形貌信息，拟合得到每个区域在x方向与y方向上的斜率，将x方向与y方向上的斜率进行矢量和计算得到每个区域的斜率值，其中，x方向和y方向与所述参考平面平行，且分别与所述区域相互垂直的两个边界平行。

15、一些实施例中，所述根据所述晶圆每个区域的斜率值对晶圆进行分组包括：

16、将第一晶圆每个区域的斜率值与第二晶圆每个区域的斜率值进行比对，得到多个斜率值差值，每个所述斜率值差值为第一晶圆的一个区域的斜率值与第二晶圆的对应区域的斜率值的差值；

17、如果所述多个斜率值差值均小于预设阈值，则判断所述第一晶圆和所述第二晶圆属于采用相同工艺条件生产的同一组晶圆。

18、本发明实施例还提供了一种晶圆处理装置，包括：

19、获取模块，用于获取晶圆的正面和背面的高度分布信息；

20、处理模块，用于将所述晶圆划分为多个区域，根据所述高度分布信息得到所述晶圆每个区域的形貌信息；

21、计算模块，用于根据所述晶圆每个区域的形貌信息得到每个区域的斜率值；

22、分组模块，用于根据所述晶圆每个区域的斜率值对晶圆进行分组。

23、一些实施例中，所述获取模块具体用于将所述晶圆竖直放入双面fizeau干涉仪中，利用波长相移得到所述晶圆的高度分布信息，所述高度分布信息包括所述晶圆正面每个位置相对于参考平面的高度和所述晶圆背面每个位置相对于参考平面的高度。

24、一些实施例中，所述处理模块具体用于计算所述晶圆每个位置相对于参考平面的基准高度，所述基准高度＝(h1+h2)/2，其中，h1为所述晶圆正面每个位置相对于参考平面的高度，h2为所述晶圆背面每个位置相对于参考平面的高度；根据所述晶圆每个位置的基准高度得到所述晶圆每个区域的形貌信息。

25、一些实施例中，所述计算模块具体用于根据所述晶圆每个区域的形貌信息，拟合得到每个区域在x方向与y方向上的斜率，将x方向与y方向上的斜率进行矢量和计算得到每个区域的斜率值，其中，x方向和y方向与所述参考平面平行，且分别与所述区域相互垂直的两个边界平行。

26、一些实施例中，所述分组模块具体用于将第一晶圆每个区域的斜率值与第二晶圆每个区域的斜率值进行比对，得到多个斜率值差值，每个所述斜率值差值为第一晶圆的一个区域的斜率值与第二晶圆的对应区域的斜率值的差值；如果所述多个斜率值差值均小于预设阈值，则判断所述第一晶圆和所述第二晶圆属于采用相同工艺条件生产的同一组晶圆。

27、本发明的有益效果是：

28、本实施例中，获取晶圆的正面和背面的高度分布信息，将晶圆划分为多个区域，根据高度分布信息得到晶圆每个区域的形貌信息，根据晶圆每个区域的形貌信息得到每个区域的斜率值，根据晶圆每个区域的斜率值对晶圆进行分组，这样可以根据加工后的晶圆的形貌将同一批次的晶圆分为一组，其中，同一批次的晶圆采用相同的工艺条件生产，从而可以对不同工艺条件生产的晶圆形貌实现判断，区分不同工艺条件生产的晶圆，为后续工艺对不同批次的晶圆进行不同处理提供基础条件。

1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述获取晶圆的正面和背面的高度分布信息包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述根据所述高度分布信息得到所述晶圆每个区域的形貌信息包括：

4.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述根据所述晶圆每个区域的形貌信息得到每个区域的斜率值包括：

5.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述根据所述晶圆每个区域的斜率值对晶圆进行分组包括：

6.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，