静电卡盘的制作方法

本公开涉及在半导体集成电路的制造工序或液晶显示装置的制造工序等中使用的保持半导体晶片等试样的静电卡盘。
背景技术:
1、作为在半导体制造装置等中使用的试样保持工具,例如已知有专利文献1所记载的静电卡盘。
2、在先技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2014-209615号公报
技术实现思路
1、本公开的静电卡盘为如下的结构,具备:
2、板状的基体,一个主面为试样保持面;
3、静电吸附用的电极,位于该基体的内部;
4、接合材料,位于所述基体的另一个主面;
5、支承体,通过该接合材料而与所述基体的另一个主面接合;
6、第1贯通孔,从所述试样保持面到所述另一个主面贯通所述基体;
7、第2贯通孔,与该第1贯通孔连续,从所述另一个主面侧贯通所述支承体;以及
8、多孔质构件,位于该第2贯通孔的内部,被固定于所述另一个主面,
9、所述第2贯通孔之中面对所述基体的开口的开口直径比所述第1贯通孔的直径大,
10、所述第2贯通孔的所述开口和所述电极在与所述试样保持面平行的方向上错开配置。
技术特征:
1.一种静电卡盘,其特征在于,具备:
2.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘,其特征在于,
技术总结
提供一种静电卡盘。具备:具有试样保持面的绝缘基体(1);和与绝缘基体(1)接合的支承体(2),设置于绝缘基体(1)的第1贯通孔(9)与设置于支承体(2)的第2贯通孔(7)连通并构成气体流入孔。在第2贯通孔(7)设置多孔质构件(5)。第2贯通孔(7)之中面对绝缘基体1的一侧的开口(基体侧开口)的开口直径比第1贯通孔(9)的直径大,第2贯通孔(7)的开口和吸附电极(6)在与试样保持面平行的方向上错开配置。即,在俯视下,成为吸附电极(6)和第2贯通孔(7)不重复的结构。
技术研发人员:古川直树
受保护的技术使用者:京瓷株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/11/18
文档序号 :
【 40049045 】
技术研发人员:古川直树
技术所有人:京瓷株式会社
备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明 :此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
技术研发人员:古川直树
技术所有人:京瓷株式会社
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