用于改善功率特性的氮化镓器件结构及其制备方法、器件与流程
技术特征:
1.一种用于改善功率特性的氮化镓器件结构的制备方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的用于改善功率特性的氮化镓器件结构的制备方法,其特征在于,所述对目标区域进行沟道电子浓度降低处理,包括:
3.如权利要求1所述的用于改善功率特性的氮化镓器件结构的制备方法,其特征在于,所述对目标区域进行沟道电子浓度降低处理,包括:
4.如权利要求1至3任一项所述的用于改善功率特性的氮化镓器件结构的制备方法,其特征在于,在制备源、漏欧姆接触之前,所述方法还包括:
5.如权利要求1至3任一项所述的用于改善功率特性的氮化镓器件结构的制备方法,其特征在于,所述衬底的材料为sic、si、aln、蓝宝石中的一种;
6.如权利要求1至3任一项所述的用于改善功率特性的氮化镓器件结构的制备方法,其特征在于,每层氮化镓沟道层的厚度大于或等于2纳米,且小于或等于150纳米;
7.如权利要求1至3任一项所述的用于改善功率特性的氮化镓器件结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
8.一种用于改善功率特性的氮化镓器件结构,其特征在于,包括:
9.一种用于改善功率特性的氮化镓器件结构,其特征在于,包括:
10.一种氮化镓器件,其特征在于,包括如权利要求8或9所述的用于改善功率特性的氮化镓器件结构,或者,基于如权利要求1至7任一项所述的用于改善功率特性的氮化镓器件结构的制备方法制备而成。
技术总结
本申请适用于半导体器件制造技术领域,提供了一种用于改善功率特性的氮化镓器件结构及其制备方法、器件,该制备方法包括:在衬底上生长缓冲层;在缓冲层上依次生长多个层叠的氮化镓沟道层和势垒层,形成氮化镓异质结多沟道结构;在氮化镓异质结多沟道结构的顶层的源区域、漏区域,分别制备源、漏欧姆接触,形成源极和漏极;对栅区域进行干法刻蚀,终止于第一层势垒层表面,形成第一凹槽;栅区域位于源区域和漏区域之间;对目标区域进行沟道电子浓度降低处理,目标区域为第一层势垒层中位于第一凹槽的下方且偏向漏极的一侧的区域;基于第一凹槽制备栅金属,形成栅极。本申请既能提升器件的电流密度、降低导通电阻,又能改善器件的耐压性能。
技术研发人员:吕元杰,薛源,周国,王元刚,宋旭波,刘方罡,冯志红
受保护的技术使用者:中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日:
技术公布日:2024/11/18
文档序号 :
【 40049178 】
技术研发人员:吕元杰,薛源,周国,王元刚,宋旭波,刘方罡,冯志红
技术所有人:中国电子科技集团公司第十三研究所
备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明 :此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
技术研发人员:吕元杰,薛源,周国,王元刚,宋旭波,刘方罡,冯志红
技术所有人:中国电子科技集团公司第十三研究所
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