一种具有全新空穴载流子提供方式的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法与流程
技术特征：
1.一种具有全新空穴载流子提供方式的gaas大功率激光器外延片，其特征在于，包括gaas衬底，在gaas衬底上由下至上依次包括gaas缓冲层、alx1ga1-x1as n限制层、alx2ga1-x2as下波导层、iny1ga1-y1as量子阱层、alx3ga1-x3as上波导层、alx4ga1-x4as p限制层和gaas欧姆接触层；
2.根据权利要求1所述的具有全新空穴载流子提供方式的gaas大功率激光器外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的具有全新空穴载流子提供方式的gaas大功率激光器外延片，其特征在于，步骤(1)中，高温热处理温度为720℃烘烤时间为35分钟；
4.根据权利要求2所述的具有全新空穴载流子提供方式的gaas大功率激光器外延片，其特征在于，步骤(3)中反应室温度为650℃，生长厚度为2.5μm，x1＝0.3，掺杂浓度为5e17-2e18个原子/cm3，掺杂源采用si2h6；
5.根据权利要求2所述的具有全新空穴载流子提供方式的gaas大功率激光器外延片，其特征在于，步骤(5)的反应室温度为550℃，生长厚度为7nm，y1的取值为0.55；
6.根据权利要求2所述的具有全新空穴载流子提供方式的gaas大功率激光器外延片，其特征在于，步骤(7)和步骤(10)中ash3和n2的体积比为9:1～9:5；
7.根据权利要求6所述的具有全新空穴载流子提供方式的gaas大功率激光器外延片，其特征在于，步骤(7)和步骤(10)中ash3和n2的体积比为9:2，步骤(8)和步骤(11)中h2和n2的体积比为1:2。
8.根据权利要求7所述的具有全新空穴载流子提供方式的gaas大功率激光器外延片，其特征在于，步骤(8)中掺杂浓度为4e17个原子/cm3；
9.根据权利要求2所述的具有全新空穴载流子提供方式的gaas大功率激光器外延片，其特征在于，步骤(9)的反应室温度为650℃，生长厚度为700nm，x4＝0.7。
10.根据权利要求2所述的具有全新空穴载流子提供方式的gaas大功率激光器外延片，其特征在于，步骤(12)的反应室温度为550℃，生长厚度为100nm，掺杂浓度为9e18-5e19个原子/cm3，掺杂源采用cbr4；
技术总结
本发明涉及一种具有全新空穴载流子提供方式的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法，属于光电子领域，包括GaAs衬底，在衬底上由下至上依次包括GaAs缓冲层、Al<subgt;x1</subgt;Ga<subgt;1‑x1</subgt;As N限制层、Al<subgt;x2</subgt;Ga<subgt;1‑x2</subgt;As下波导层、In<subgt;y1</subgt;Ga<subgt;1‑y1</subgt;As量子阱层、Al<subgt;x3</subgt;Ga<subgt;1‑x3</subgt;As上波导层、Al<subgt;x4</subgt;Ga<subgt;1‑x4</subgt;As P限制层和GaAs欧姆接触层；其中，Al<subgt;x3</subgt;Ga<subgt;1‑x3</subgt;As上波导层和Al<subgt;x4</subgt;Ga<subgt;1‑x4</subgt;As P限制层均为H<supgt;+</supgt;掺杂。本发明采用H<supgt;+</supgt;间隙替代方式取代传统C掺杂、Mg掺杂、Zn掺杂提供空穴的方式，H<supgt;+</supgt;具有高迁移率、低吸收系数、高填充密度以及高激活率完美解决了传统载流子的弊端。
技术研发人员：赵凯迪,马明月,鞠志远
受保护的技术使用者：山东华光光电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
技术研发人员：赵凯迪,马明月,鞠志远
技术所有人：山东华光光电子股份有限公司
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