一种增强体二极管续流能力的MOSFET及其制备方法与流程
技术特征：
1.一种增强体二极管续流能力的mosfet的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种增强体二极管续流能力的mosfet的制备方法，其特征在于，步骤s100包括：
3.根据权利要求1所述的一种增强体二极管续流能力的mosfet的制备方法，其特征在于，步骤s200包括：
4.根据权利要求1所述的一种增强体二极管续流能力的mosfet的制备方法，其特征在于，步骤s300包括：
5.根据权利要求1所述的一种增强体二极管续流能力的mosfet的制备方法，其特征在于，步骤s400包括：
6.根据权利要求1所述的一种增强体二极管续流能力的mosfet的制备方法，其特征在于，步骤s500包括：
7.根据权利要求1所述的一种增强体二极管续流能力的mosfet的制备方法，其特征在于，步骤s600包括：
8.根据权利要求1所述的一种增强体二极管续流能力的mosfet的制备方法，其特征在于，步骤s700包括：
9.根据权利要求1所述的一种增强体二极管续流能力的mosfet的制备方法，其特征在于，步骤s800包括：
10.一种增强体二极管续流能力的mosfet，通过权利要求1-9任一所述的一种增强体二极管续流能力的mosfet的制备方法制备，其特征在于，包括自下而上依次设置的漏极金属（13）、外延片（1）和隔离层（7）；
技术总结
一种增强体二极管续流能力的MOSFET及其制备方法。涉半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片内制备相互间隔的第一重掺杂体区；步骤S200，在外延片内制备第二重掺杂源区；步骤S300，在外延片内制备栅极沟槽；步骤S400，在沟槽内依次制备栅介质和多晶硅；步骤S500，在外延片上沉积隔离层，开窗制备源极沟槽，源极沟槽底部延伸至第一重掺杂体区内部，沟槽宽度大于第一重掺杂体区的间隔宽度；步骤S600，在源极沟槽底部制备肖特基接触金属，与第二轻掺杂耐压区形成肖特基接触，肖特基接触金属上表面低于第二重掺杂源区下表面；本发明有利于商业化进程的推进，具备更高的商业价值。
技术研发人员：代书雨,周理明,王毅
受保护的技术使用者：扬州扬杰电子科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
文档序号 :
【 40050878 】
技术研发人员：代书雨,周理明,王毅
技术所有人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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