集成PN结和肖特基结的平面栅MOSFET及制备方法与流程

1.集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet制备方法，其特征在于，步骤s100包括：

3.根据权利要求1所述的集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet制备方法，其特征在于，步骤s200包括：

4.根据权利要求1所述的集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet制备方法，其特征在于，步骤s300包括：

5.根据权利要求1所述的集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet制备方法，其特征在于，步骤s400包括：

6.根据权利要求1所述的集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet制备方法，其特征在于，步骤s500包括：

7.根据权利要求1所述的集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet制备方法，其特征在于，步骤s600包括：

8.根据权利要求1所述的集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet制备方法，其特征在于，步骤s700包括：

9.集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet，通过权利要求任一1-9所述的集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet制备方法制备，其特征在于，包括自下而上依次设置的漏极金属（14）、外延片（1）、多晶硅（6）和隔离层（7）；

10.根据权利要求9所述的集成pn结和肖特基结的平面栅mosfet，起特征在于，所述外延片（1）包括自下而上的n+衬底层（15）和n型耐压区（16）。