一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构

1.一种内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第一解键合之后还包括步骤：第一清洗，清洗所述第一键合面；和/或，

3.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第一次预固化将形成的结构中的树脂固化至50％以上。

4.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第二次预固化具体为：将该步骤形成的结构置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min使结构中的树脂预固化。

5.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第三次预固化具体为：将形成的结构置于95℃-105℃恒温环境中保持25min-35min之后，再置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min。

6.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述固化具体为：在180℃以上环境中使将形成的结构中的树脂固化至90％以上。

7.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，第一次预固化的固化温度低于所述第一键合材料层的解键合温度；或，

8.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第一压合填埋树脂步骤、第二压合填埋树脂步骤以及绝缘层加工步骤中所采用的原料均为abf树脂片，所述abf树脂片包括abf本层、贴合在所述abf本层第一侧的opp膜以及贴合在所述abf本层第二侧的pet膜。

9.根据权利要求8所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第一压合填埋树脂步骤具体为：去除所述abf树脂片的opp膜，并使所述abf树脂片的第一侧压合在所述基板的填埋树脂面以形成第一树脂层，并进行第一次预固化，以使该步骤形成的结构中的树脂固化至50％以上，所述第一树脂层背离所述基板的一侧为第二键合面且保留有pet膜；和/或，

10.一种临时键合结构，其特征在于，包括：

11.根据权利要求1-9中任一项所述内埋芯片基板的制造方法或权利要求10所述的临时键合结构，其特征在于，所述第一支撑板和/或第二支撑板为双面覆铜板、金属板、玻璃板或陶瓷板；和/或，所述第一支撑板和/或第二支撑板的厚度大于0.2mm。

12.根据权利要求1-9中任一项所述内埋芯片基板的制造方法或权利要求10所述的临时键合结构，其特征在于，所述第一键合材料层包括依次层叠的发泡膜、支撑膜和压敏胶膜，且所述第一键合材料层的压敏胶膜与基板键合；和/或，所述第二键合材料层包括依次层叠的发泡膜、支撑膜和压敏胶膜，且所述第二键合材料层的压敏胶膜与第一树脂层键合。