偏置电路、芯片和电子装置的制作方法

本公开涉及集成电路，尤其是一种偏置电路、芯片和电子装置。

背景技术：

1、在模数转换器电路（analog to digital converter，简称：adc）、运算放大器电路（operational amplifier，简称：oa）、低压差线性稳压器（low dropout regulator，简称：ldo）等模拟电路中，通常都需要一路或多路电流偏置，通过偏置电路为这些模拟电路提供偏置电压或偏置电流。相关技术中的电流偏置电路产生的偏置电压波动范围较大，容易导致模拟电路其它模块功能异常，从而影响整体电路的稳定性。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种偏置电路、芯片和电子装置。

2、根据本公开实施例的一个方面，提供了一种偏置电路，包括：偏置产生模块，所述偏置产生模块的第一输入端用于输入启动信号；所述偏置产生模块的第一输出端用于输出第一偏置电压；负反馈模块，所述负反馈模块的第二输入端与所述偏置产生模块的所述第一输出端连接，所述负反馈模块的第二输出端与所述偏置产生模块连接；所述偏置产生模块用于在所述启动信号的作用下，产生所述第一偏置电压，从所述第一输出端输出所述第一偏置电压；所述负反馈模块用于在所述第一偏置电压的作用下，向所述偏置产生模块反馈调节电压，以将所述偏置产生模块产生的所述第一偏置电压调节为第二偏置电压。

3、在一些实施例中，所述负反馈模块包括：第一晶体管组件，所述第一晶体管组件的第一端与所述第二输入端连接，所述第一晶体管组件的第二端连接电源电压，所述第一晶体管组件的第三端与所述第二输出端连接；第二晶体管组件，所述第二晶体管组件的第一端与所述第二输入端连接，所述第二晶体管组件的第二端分别与所述第一晶体管组件的第三端和所述第二输出端连接，所述第二晶体管组件的第三端接地；所述第一晶体管组件和所述第二晶体管组件用于：在所述第一偏置电压高于第一电压阈值的情况下，使所述第二输出端输出第一调节电压，以将所述第一偏置电压调节为小于所述第一偏置电压的所述第二偏置电压；以及，在所述第一偏置电压低于第二电压阈值的情况下，使所述第二输出端输出第二调节电压，以将所述第一偏置电压调节为大于所述第一偏置电压的所述第二偏置电压。

4、在一些实施例中，所述第一晶体管组件包括：第一pmos晶体管，所述第一pmos晶体管的第一端作为第一使能端，所述第一pmos晶体管的第二端作为所述第一晶体管组件的第二端连接电源电压；第二pmos晶体管，所述第二pmos晶体管的第一端作为所述第一晶体管组件的第一端，所述第二pmos晶体管的第二端与所述第一pmos晶体管的第三端连接；所述第二pmos晶体管的第三端作为所述第一晶体管组件的第三端。

5、在一些实施例中，所述第二晶体管组件包括：第一nmos晶体管，所述第一nmos晶体管的第一端作为所述第二晶体管组件的第一端，所述第一nmos晶体管的第二端作为所述第二晶体管组件的第二端；第二nmos晶体管，所述第二nmos晶体管的第一端作为第二使能端，所述第二nmos晶体管的第二端与所述第一nmos晶体管的第三端连接，所述第二nmos晶体管的第三端作为所述第二晶体管组件的第三端接地；所述第一使能端和所述第二使能端连接相反的使能信号；在所述第一使能端和所述第二使能端均为使能状态的情况下，所述负反馈模块处于工作状态；在所述第一使能端和所述第二使能端均为非使能状态的情况下，所述负反馈模块处于关闭状态。

6、在一些实施例中，所述偏置产生模块包括：启动控制组件，所述启动控制组件的第一端作为所述偏置产生模块的第一输入端，所述启动控制组件的第二端连接电源电压；晶体管电流镜组件，分别与所述启动控制组件的第三端和所述负反馈模块的第二输出端连接；辅助晶体管组件，分别与所述晶体管电流镜组件和电源电压连接；级联晶体管组件，分别与所述辅助晶体管组件和所述第一输出端连接；电阻，所述电阻的第一端分别与所述级联晶体管组件和所述第一输出端连接，所述电阻的第二端接地；所述启动控制组件在所述启动信号的作用下，启动所述偏置产生模块，为所述晶体管电流镜组件、所述级联晶体管组件和所述电阻提供电流，在所述电阻的第一端产生所述第一偏置电压，通过所述第一输出端输出所述第一偏置电压；所述晶体管电流镜组件用于，在所述负反馈模块的调节电压作用下，调节所述晶体管电流镜组件、所述级联晶体管组件和所述电阻的电流，以将所述电阻的第一端的所述第一偏置电压调节为所述第二偏置电压。

7、在一些实施例中，所述偏置产生模块还包括：电容，所述电容的第一端与所述电阻的第一端连接，所述电容的第二端接地。

8、在一些实施例中，所述晶体管电流镜组件包括：第三nmos晶体管，所述第三nmos晶体管的第一端分别与所述第三nmos晶体管的第二端、所述负反馈模块的第二输出端连接；所述第三nmos晶体管的第二端与所述启动控制组件的第三端连接；所述第三nmos晶体管的第三端接地；第四nmos晶体管，所述第四nmos晶体管的第一端与所述第三nmos晶体管的第一端连接，所述第四nmos晶体管的第二端与所述辅助晶体管组件连接，所述第四nmos晶体管的第三端接地；第五nmos晶体管，所述第五nmos晶体管的第一端与所述第三nmos晶体管的第一端连接，所述第五nmos晶体管的第二端与所述辅助晶体管组件连接，所述第五nmos晶体管的第三端接地。

9、在一些实施例中，所述辅助晶体管组件包括：第三pmos晶体管，所述第三pmos晶体管的第一端与所述级联晶体管组件连接，所述第三pmos晶体管的第二端连接电源电压，所述第三pmos晶体管的第三端分别与所述第三pmos晶体管的第一端、所述第四nmos晶体管的第二端连接；第四pmos晶体管，所述第四pmos晶体管的第一端与所述级联晶体管组件连接，所述第四pmos晶体管的第二端连接电源电压，所述第四pmos晶体管的第三端分别与所述第四pmos晶体管的第一端、所述第五nmos晶体管的第二端连接。

10、在一些实施例中，所述级联晶体管组件包括：第五pmos晶体管，所述第五pmos晶体管的第一端与所述第三pmos晶体管的第一端连接，所述第五pmos晶体管的第二端连接电源电压；第六pmos晶体管，所述第六pmos晶体管的第一端与所述第四pmos晶体管的第一端连接，所述第六pmos晶体管的第二端与所述第五pmos晶体管的第三端连接，所述第六pmos晶体管的第三端分别与所述第一输出端、所述电阻的第一端连接。

11、在一些实施例中，所述偏置电路还包括：偏置调整模块，包括至少一个并联的开关支路，每一所述开关支路包括至少一个开关组件；每一所述开关支路的第一端连接调整控制信号，每一所述开关支路的第二端连接电源电压，每一所述开关支路的第三端与所述偏置产生模块连接；每一所述开关支路用于在所述调整控制信号有效的情况下，为所述偏置产生模块注入一路电流，以增大所述偏置产生模块产生的所述第一偏置电压。

12、在一些实施例中，所述偏置产生模块包括启动控制组件、晶体管电流镜组件、辅助晶体管组件、级联晶体管组件和电阻；每一所述开关支路的第三端分别与所述启动控制组件的第三端、所述晶体管电流镜组件连接；每一所述开关支路用于在所述调整控制信号有效的情况下，为所述晶体管电流镜组件注入一路电流，以增大所述晶体管电流镜组件中晶体管的栅极电压，使得流经所述电阻的电流增大，将所述第一偏置电压调整为大于所述第一偏置电压的第三偏置电压。

13、在一些实施例中，每一所述开关支路包括：至少两个串联的开关组件；每一开关组件的第一端与该开关支路的第一端连接；每一开关组件在所述调整控制信号有效的情况下导通，以在该开关支路产生电流；每一开关组件在所述调整控制信号无效的情况下关闭，以断开该开关支路产生的电流。

14、根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种芯片，包括：上述任一实施例提供的偏置电路。

15、根据本公开实施例的再一个方面，提供了一种电子装置，包括：上述任一实施例提供的芯片。

16、本公开上述实施例提供的偏置电路、芯片和电子装置，通过偏置产生模块产生第一偏置电压，在第一偏置电压过高或过低的情况下，可以通过负反馈模块产生调节电压，将偏置产生模块产生的第一偏置电压调节至第二偏置电压，从而可以将偏置产生模块输出的偏置电压限制在较小范围内波动，有效缩小偏置电压的波动范围，提高整体电路的稳定性。

17、下面通过附图和实施例，对本公开的技术方案做进一步的详细描述。