镀膜装置的制作方法
技术特征：
1.一种镀膜装置，其特征在于，被配置为对筒体的内壁进行镀膜；
2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述密闭腔室沿第一方向延伸；
3.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线；
4.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置还包括：
5.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述靶台包括：
6.根据权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线；
7.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述激光发射组件发出的激光照射所述靶材的朝向所述筒体的内壁的一面，以使所述靶材生成的所述等离子羽辉朝向所述筒体的内壁。
8.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线；
9.根据权利要求1至8任一项所述的镀膜装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的镀膜装置，其特征在于，所述靶材为片状结构，所述靶材具有朝向所述筒体的内壁的第一表面；
11.根据权利要求9所述的镀膜装置，其特征在于，所述靶材为片状结构，所述靶材具有朝向所述筒体的内壁的第一表面，至少一个第一开口位于所述密闭腔室的沿所述密闭腔室的延伸方向的至少一端；
12.根据权利要求11所述的镀膜装置，其特征在于，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线，多个所述靶台绕所述密闭腔室的轴线的周向均匀地间隔设置；
13.根据权利要求1至8任一项所述的镀膜装置，其特征在于，还包括：
14.一种镀膜装置，其特征在于，被配置为对筒体的内壁进行膜层沉积；
技术总结
本申请涉及光伏和半导体技术领域，尤其涉及一种镀膜装置，解决了镀膜装置的换气效率低的问题。该镀膜装置包括至少一个第一封堵件、至少一个第二封堵件、至少一个靶台和至少一个激光发射组件。第一封堵件和第二封堵件用于密封筒体的两端口，以使筒体的内部形成密闭腔室。靶台用于安装靶材，靶台能够放入密闭腔室。激光发射组件向靶材发出激光，使靶材生成等离子羽辉，等离子羽辉能够沉积于筒体的内壁。第一封堵件设有抽气孔，以便于密闭腔室内的气体能够通过抽气孔抽出，以使密闭腔室内形成真空状态。第二封堵件设有进气孔，以便于外部的气体能够通过进气孔进入密闭腔室。该镀膜装置能够同时进行抽气和进气，换气效率高。
技术研发人员：严祥银,黄小琳,田政权,张武
受保护的技术使用者：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5
文档序号 :
【 40237233 】
技术研发人员：严祥银,黄小琳,田政权,张武
技术所有人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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