PFC控制方法及控制装置与流程

本发明涉及开关电源控制领域,尤其涉及一种pfc控制方法及控制装置。
背景技术:
1、由于开关电源的广泛使用,为了减小开关电源产生的非正弦电流波形畸变而引起电网的谐波电流污染和无功功率的增加;功率因数校正(pfc)技术是一种用于提高用电设备功率因数的方法,确保电流波形与电压波形尽可能同相,从而减少能量损失和电网谐波污染。pfc技术主要针对的是容性负载,特别是功率大于75w的设备。通过pfc可以使系统表现得更像纯电阻性负载,提高电能的利用效率。pfc 技术除了完成了电流波形的校正,也解决了电压、电流的同相问题。
2、pfc技术较多,常用的有boost(升压) pfc技术;当boost pfc工作在大功率的应用场合时,往往采用ccm(continuous conduction mode:电感电流连续模式:简称为连续模式)模式;而该模式下,可能出现运行不稳定问题。
技术实现思路
1、有鉴于此,本发明实施例提供了一种pfc电路控制方法及控制装置,能够抑制ccm模式下的电流振荡,提高运行稳定性。
2、为解决上述技术问题,本申请采用了如下技术方案:
3、一种pfc控制方法,适用于pfc电路,当所述pfc工作于连续模式时,包括以下步骤:
4、控制所述pfc电路的主开关管关断;
5、对所述pfc电路的理论关断时间进行处理得到第一处理信号,所述主开关管的开通信息包含所述第一处理信号;
6、至少根据所述开通信息控制所述主开关管开通状态。
7、该控制方法在pfc电路工作于连续模式的场景下,通过对pfc电路的理论关断时间进行处理得到第一处理信号,再根据包含第一处理信号的开通信息控制主开关管的开通状态,从而实现对主开关管状态的调节,也就相当于对主开关管导通时间和关断时间进行调节,以使在工频的特定相位点,主开关管的导通时间能够稳定在一个导通时间值,也即,使得主开关管的导通时间收敛于某一个导通时间值,通过若干个开关周期的调节,最终与该导通时间值保持一致,以达到提高系统控制稳定性的目的。
8、一种pfc控制装置,适用于对pfc电路连续模式下的控制,包括开关管控制单元和处理单元;
9、所述处理单元用于对所述pfc电路的理论关断时间进行处理得到第一处理信号,并将所述第一处理信号发送至所述开关管控制单元;
10、所述开关管控制单元至少用于根据包含所述第一处理信号的主开关开通信息控制所述pfc电路的主开关管的关断。
11、该pfc控制装置设置处理单元,处理单元能够对pfc电路的理论关断时间进行处理得到第一处理信号,开关管控制单元再根据包含第一处理信号的主开关管开通信息对主开关管状态进行控制,从而实现对主开关管状态的调节,也就相当于对主开关管导通时间和关断时间进行调节,以使主开关管的导通时间能够稳定在一个导通时间值,也即,使得在工频的特定相位点,主开关管的导通时间收敛于某一个导通时间值,通过若干个开关周期的调节,最终在开关管控制单元的控制下与该导通时间值保持一致,以达到提高系统控制稳定性的目的。
技术特征:
1.一种pfc控制方法,适用于pfc电路,其特征在于,当所述pfc工作于连续模式时,所述控制方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的pfc控制方法,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的pfc控制方法,其特征在于,所述开通信息为所述主开关管的开通起点信息,所述第一处理信号通过以下步骤获取:
4.根据权利要求2所述的pfc控制方法,其特征在于,采用0.5ton控制对所述pfc电路进行控制,所述开通信息为所述主开关管导通时间的计时起点,
5.根据权利要求4所述的pfc控制方法,其特征在于,还包括步骤:
6.根据权利要求4所述的pfc控制方法,其特征在于,所述第二时长通过以下步骤获取:
7.根据权利要求4-6任一项所述的pfc控制方法,其特征在于,所述初始计时起点大于0。
8.根据权利要求1-6任一项所述的pfc控制方法,其特征在于,所述理论关断时间通过以下公式计算得到:
9.一种pfc控制装置,适用于对pfc电路连续模式下的控制,其特征在于,包括开关管控制单元和处理单元;
10.根据权利要求9所述的pfc控制装置,其特征在于,所述开通信息包含所述主开关管的开通起点信息,所述第一处理信号为根据所述主开关管的导通时间对所述理论关断时间进行补偿得到的主开关管实际关断时间;
技术总结
本发明实施例提供了一种PFC控制方法及控制装置。该PFC控制方法,适用于PFC电路,当所述PFC工作于连续模式时,所述控制方法包括以下步骤:控制所述PFC电路的主开关管关断;对所述主开关管的理论关断时间进行处理得到第一处理信号,所述主开关管的开通信息包含所述第一处理信号;至少根据所述开通信息控制所述主开关管开通状态。该控制方法可以提高PFC电路在连续模式下的控制稳定性。
技术研发人员:请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名
受保护的技术使用者:梵塔半导体技术(杭州)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/28
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技术所有人:梵塔半导体技术(杭州)有限公司
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