一种高边驱动电路及高边驱动芯片的制作方法

本发明涉及高边驱动芯片，尤其涉及一种高边驱动电路及高边驱动芯片。

背景技术：

1、在现代汽车电子电路中，高边驱动开关广泛应用于各种场景。然而，这些输出驱动在复杂的汽车电子电器系统中运行时，可能面临输出过载和短路等问题，进而导致不可逆转的运行失效。尽管很多方案提出了相关的保护机制，但它们要么缺乏灵活性以应对不同场景，要么在复杂性方面存在一定挑战。

2、为解决这一问题，本发明提出了一种高边驱动电路，专门应用于高边驱动芯片。本发明以更加灵活以及精简的电路方案解决了输出驱动电路可能面临的过载和短路问题。

技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种高边驱动电路及高边驱动芯片，旨在解决电路过流或短路的技术问题。

2、为实现上述目的，本发明提出一种高边驱动电路，所述高边驱动电路应用于高边驱动芯片，所述高边驱动电路包括：

3、检测模块、辅助模块、开关模块和保护模块；

4、所述检测模块分别与所述辅助模块、所述开关模块和供电电源连接；所述辅助模块分别与所述保护模块和所述开关模块连接；所述开关模块分别与所述供电电源、所述保护模块和负载连接；

5、所述检测模块，用于检测所述供电电源为所述负载提供的供电电流，并在所述供电电流大于预设电流时，导通所述供电电源与所述辅助模块的连接；

6、所述辅助模块，用于接收到所述供电电流时，输出截止信号至所述开关模块；

7、所述开关模块，用于在接收到所述截止信号时，断开所述供电电源与所述负载之间的连接；

8、所述辅助模块，还用于在所述供电电源与所述负载的连接断开时，将所述供电电流输出至所述保护模块；

9、所述保护模块，用于在接收到所述供电电流时进行充电，并在充电完成后进行电能泄放。

10、可选的，第一保护子单元和第二保护子单元；

11、所述第一保护子单元分别与打嗝周期控制芯片、所述辅助模块和所述开关模块连接；

12、所述第二保护子单元分别与打嗝周期控制芯片、所述辅助模块和所述开关模块连接；

13、所述第一保护子单元，用于在接收到所述打嗝周期控制芯片输出的高电平充电信号时，接收通过所述辅助模块输出的供电电流进行充电，并在充电完成后进行电能泄放；

14、所述第二保护子单元，用于在接收到所述打嗝周期控制芯片输出的低电平充电信号时，接收通过所述辅助模块输出的供电电流进行充电，并在充电完成后进行电能泄放。

15、可选的，所述第一保护子单元包括：

16、第一晶闸管、第二晶闸管和第一电容；

17、所述第一晶闸管的门极和所述打嗝周期控制芯片连接，所述第一晶闸管的负极和所述辅助模块连接，所述第一晶闸管的正极和所述第一电容的第一端连接；

18、所述第二晶闸管的门极和所述打嗝周期控制芯片连接，所述第二晶闸管的负极和所述辅助模块连接，所述第二晶闸管的正极和所述第一电容的第一端连接；

19、所述第一电容的第二端和所述开关模块连接。

20、可选的，所述第二保护子单元包括：

21、第三晶闸管、第四晶闸管、反相器和第二电容；

22、所述第三晶闸管的门极和所述反相器的第二端连接，所述第三晶闸管的负极和所述辅助模块连接，所述第三晶闸管的正极和所述第二电容的第一端连接；

23、所述第四晶闸管的门极和所述反相器的第二端连接，所述第四晶闸管的负极和所述辅助模块连接，所述第四晶闸管的正极和所述第二电容的第一端连接；

24、所述反相器的第一端和所述打嗝周期控制芯片连接；

25、所述第二电容的第二端和所述开关模块连接。

26、可选的，所述辅助模块包括：

27、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和第二二极管；

28、所述第一电阻的第一端和所述检测模块连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端、第三电阻的第一端和所述第二二极管的正极连接；

29、所述第二电阻的第一端分别与所述第三电阻的第一端和第二二极管的正极连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第一二极管的正极、所述第二晶闸管的正极和所述第四晶闸管的正极连接；

30、所述第三电阻的第一端和所述第二二极管的正极连接，所述第三电阻的第二端和所述第一二极管的负极连接；

31、所述第一二极管的正极分别与所述第一晶闸管的负极和所述第三晶闸管的负极连接；

32、所述第二二极管的负极和所述开关模块连接。

33、可选的，所述检测模块包括：

34、三极管；

35、所述三极管的发射极和所述供电电源连接，所述三极管的基极和所述第一电阻的第一端连接，所述三极管的集电极和所述开关模块连接。

36、可选的，所述开关模块包括：

37、pmos管和第三二极管；

38、所述pmos管的源极和所述第二二极管的负极连接，所述pmos管的栅极和所述三极管的集电极连接，所述pmos管的漏极分别与所述第一保护子单元、所述第二电容的第二端和所述第三二极管的正极连接；

39、所述第三二极管的负极和所述负载连接。

40、可选的，所述开关模块包括：

41、pmos管和第三二极管；

42、所述pmos管的源极和所述第二二极管的负极连接，所述pmos管的栅极和所述三极管的集电极连接，所述pmos管的漏极分别与所述第一保护子单元、第二电容的第二端和所述第三二极管的正极连接；

43、所述第三二极管的负极和所述负载连接。

44、可选的，所述高边驱动电路还包括：电流配置模块；

45、所述电流配置模块包括；

46、第五晶闸管、第四电阻和第五电阻；

47、所述第五晶闸管的门极和所述打嗝周期控制芯片连接，所述第五晶闸管的正极和所述供电电源连接，所述第五晶闸管的负极和所述第五电阻的第一端连接；所述第四电阻的第一端和所述供电电源连接，所述第四电阻的第二端分别与所述第五电阻的第二端和所述pmos管的源极连接；所述第五电阻的第二端和所述pmos管的源极连接。

48、可选的，所述高边驱动电路还包括：分压模块；

49、所述分压模块包括；

50、第六电阻、第七电阻和第八电阻；

51、所述第六电阻的第一端和所述三极管的集电极连接，所述第六电阻的第二端分别与所述第七电阻的第一端和所述第八电阻的第二端连接；所述第七电阻的第二端接地；所述第八电阻的第一端分别与所述第四电阻的第二端、所述第五电阻的第二端和所述pmos管的源极连接。

52、本发明还提出一种高边驱动芯片，其特征在于，所述高边驱动芯片包括所述的高边驱动电路。

53、本发明提出的一个或多个技术方案，至少具有以下技术效果：

54、本发明公开了一种高边驱动电路及高边驱动芯片，涉及高边驱动芯片技术领域，公开了一种高边驱动电路，所述高边驱动电路包括：检测模块、辅助模块、开关模块和保护模块；所述检测模块分别与所述辅助模块、所述开关模块和供电电源连接；所述辅助模块分别与所述保护模块和所述开关模块连接；所述开关模块分别与所述供电电源、所述保护模块和负载连接。本发明通过保护模块对电路中电流的吸收和泄放来实现电路的保护。