树脂组合物、固化物、层叠体、固化物的制造方法、层叠体的制造方法、半导体器件的制造方法及半导体器件与流程
技术特征：
1.一种树脂组合物，其含有聚酰亚胺或聚酰亚胺前体，
2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，
3.根据权利要求1或2所述的树脂组合物，其还含有金属络合物，该金属络合物具有含有氮原子的π共轭部位。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的树脂组合物，其中，
5.一种感光性树脂组合物，其包含：
6.根据权利要求4或5所述的树脂组合物，其中，
7.根据权利要求4至6中任一项所述的树脂组合物，其中，
8.根据权利要求3或5所述的树脂组合物，其中，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的树脂组合物，其中，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的树脂组合物，其还含有聚合性化合物及光聚合引发剂。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的树脂组合物，其用于形成再配线层用层间绝缘膜。
12.一种固化物，其是使权利要求1至11中任一项所述的树脂组合物固化而成的。
13.一种层叠体，其包含2层以上的由权利要求12所述的固化物形成的层，且在由所述固化物形成的层任意层的彼此之间包含金属层。
14.一种固化物的制造方法，其包括将权利要求1至11中任一项所述的树脂组合物应用于基材上而形成膜的膜形成工序。
15.根据权利要求14所述的固化物的制造方法，其包括：
16.根据权利要求14或15所述的固化物的制造方法，其包括在50℃～450℃下对所述膜进行加热的加热工序。
17.一种层叠体的制造方法，其包括权利要求14至16中任一项所述的固化物的制造方法。
18.一种半导体器件的制造方法，其包括权利要求14至16中任一项所述的固化物的制造方法或权利要求17所述的层叠体的制造方法。
19.一种半导体器件，其包含权利要求12所述的固化物或权利要求13所述的层叠体。
20.一种固化物，其满足下述条件(i)～条件(iv)的全部，
21.一种半导体器件，其具有：
22.根据权利要求21所述的半导体器件，其还具备覆盖所述半导体芯片的密封件，
技术总结
一种树脂组合物、固化物、层叠体、固化物的制造方法、层叠体的制造方法、半导体器件的制造方法及半导体器件，其中，该树脂组合物含有聚酰亚胺或聚酰亚胺前体，由上述树脂组合物获得的固化物满足下述条件(i)～(iv)的全部，条件(i)：所述固化物的杨氏模量为3.5GPa以上；条件(ii)：所述固化物在25℃至125℃的温度范围内的热膨胀系数小于50ppm/℃；条件(iii)：所述固化物的Tg为240℃以上；及条件(iv)：所述固化物的断裂伸长率为40％以上。
技术研发人员：尾田和也,野崎敦靖,小川伦弘,大工原贤司
受保护的技术使用者：富士胶片株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/11/26
技术研发人员：尾田和也,野崎敦靖,小川伦弘,大工原贤司
技术所有人：富士胶片株式会社
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