Co-Cr-Pt-B系强磁性材料溅射靶的制作方法
技术特征:
1.一种co-cr-pt-b系强磁性材料溅射靶,其特征在于,包含:
2.根据权利要求1所述的co-cr-pt-b系强磁性材料溅射靶,其特征在于,cr为大于0原子%且30原子%以下,pt为5原子%以上且30原子%以下,b为大于0原子%且25原子%以下,余量为co和不可避免的杂质。
3.根据权利要求1或2所述的co-cr-pt-b系强磁性材料溅射靶,其特征在于,所述合金相(a)还含有大于0原子%且25原子%以下的选自al、si、sc、ti、v、mn、fe、ni、cu、zn、ge、y、zr、nb、ta、mo、w、ru、ag、sn、la、ce、pr、nd、sm、gd、tb、dy、ho、hf中的一种以上元素作为添加元素。
4.一种制造方法,其是权利要求1~3中任一项所述的co-cr-pt-b系强磁性材料溅射靶的制造方法,其特征在于,包括:
5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述co-cr-pt-b合金粉末以及所述co-b合金粉末、co-cr-b合金粉末或co-pt-b合金粉末为雾化合金粉末。
6.根据权利要求4或5所述的制造方法,其特征在于,在所述烧结工序中,将所述混合粉末在10mpa以上且100mpa以下的压力、700℃以上且1300℃以下的温度下保持30分钟以上且3小时以下。
技术总结
一种Co‑Cr‑Pt‑B系强磁性材料溅射靶,其特征在于,包含Co‑Cr‑Pt‑B合金相(A)和合金相(B),所述Co‑Cr‑Pt‑B合金相(A)含有大于0原子%且30原子%以下的B并且B分布于整体而没有B聚集相的不均匀分布,所述合金相(B)为Co‑B合金、Co‑Cr‑B合金或Co‑Pt‑B合金中的任一种合金,含有大于0原子%且20原子%以下的B并且B分布于整体而没有B聚集相的不均匀分布,合金相(A)在溅射靶中占50体积%以上,合金相(B)在溅射靶中占小于50体积%。
技术研发人员:镰田知成
受保护的技术使用者:田中贵金属工业株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/11/18
文档序号 :
【 40050142 】
技术研发人员:镰田知成
技术所有人:田中贵金属工业株式会社
备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明 :此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
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