反应室、原子层沉积装置及方法与流程

1.一种用于原子层沉积的反应室(10)，所述反应室(10)具有位于所述反应室(10)内部的反应空间(8)，并且被设置成在所述反应室(10)的所述反应空间(8)中在批处理中同时处理多个衬底(2)，其特征在于，所述反应室(10)包括：

2.根据权利要求1所述的反应室(10)，其特征在于，所述反应室(10)包括沿所述进气口(92)和所述出气口(102)之间的方向延伸的反应室方向(x)，并且所述两个或更多个衬底支架(b1、b2)沿所述进气口(92)和所述出气口(102)之间的所述反应室方向(x)设置在所述一排组件中。

3.根据权利要求1或2所述的反应室(10)，其特征在于，所述两个或更多个衬底支架(b1、b2)被设置成彼此接触，并且设置在所述进气口(92)和所述出气口(102)之间的所述一排组件中。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的反应室(10)，其特征在于，所述衬底支架(b1、b2)包括：

5.根据权利要求4所述的反应室(10)，其特征在于：

6.根据权利要求4或5所述的反应室(10)，其特征在于：

7.根据权利要求1至6中任一项所述的反应室(10)，其特征在于：

8.根据权利要求1至7中任一项所述的反应室(10)，其特征在于：

9.根据权利要求1至8中任一项所述的反应室(10)，其特征在于：

10.根据权利要求1至9中任一项所述的反应室(10)，其特征在于，所述反应室(10)包括：

11.根据权利要求1至10中任一项所述的反应室(10)，其特征在于：

12.根据权利要求1至11中任一项所述的反应室(10)，其特征在于：

13.一种原子层沉积装置(1)，所述原子层沉积装置被设置成在批处理中同时处理多个衬底，所述原子层沉积装置(1)具有设置在真空室(20)内部的反应室(10)，其特征在于，所述原子层沉积装置(1)还包括：

14.根据权利要求13所述的原子层沉积装置(1)，其特征在于：

15.根据权利要求13或14所述的原子层沉积装置(1)，其特征在于：

16.根据权利要求13至15中任一项所述的原子层沉积装置(1)，其特征在于，所述盖部(12)被设置成可沿第一方向(c)移动，所述装载装置(35)被设置成沿第二方向(d)移动所述两个或更多个衬底支架(b1、b2)，其中所述第二方向(d)横向于所述第一方向(c)。

17.根据权利要求13至16中任一项所述的原子层沉积装置(1)，其特征在于，所述反应室(10)是根据权利要求1至12中任一项所述的反应室。

18.一种用于根据原子层沉积方法的原理将衬底(2)装载到用于处理所述衬底(2)的原子层沉积装置(1)的反应室(10)中的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的用于将成批衬底装载到反应室(10)中的方法，其特征在于，将所述反应室(10)从所述打开位置移动到所述关闭位置的步骤还包括：

20.根据权利要求18或19所述的用于将成批衬底装载到反应室(10)中的方法，其特征在于：

21.根据权利要求18至20中任一项所述的用于将成批衬底装载到反应室(10)中的方法，其特征在于：