磁控变压器的制作方法

1.一种磁控变压器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的磁控变压器，其特征在于，所述子模块包括：

3.根据权利要求2所述的磁控变压器，其特征在于，所述功率模块包括：

4.根据权利要求3所述的磁控变压器，其特征在于，所述功率电路包括：

5.根据权利要求4所述的磁控变压器，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的磁控变压器，其特征在于，所述lcl滤波电路包括：第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感和第六电感、第一电容、第二电容、第三电容、第四电阻、第五电阻和第六电阻；

7.根据权利要求4所述的磁控变压器，其特征在于，所述背靠背变换器包括：第一双栅晶体管、第二双栅晶体管、第三双栅晶体管、第四双栅晶体管、第五双栅晶体管、第六双栅晶体管、第七双栅晶体管、第八双栅晶体管、第九双栅晶体管、第十双栅晶体管、第十一双栅晶体管、第十二双栅晶体管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第七二极管、第八二极管、第九二极管、第十二极管、第十一二极管、第十二二极管、第四电容和第八电容；

8.根据权利要求4所述的磁控变压器，其特征在于，所述lc滤波电路包括：第七电感、第八电感、第九电感、第九电容、第十电容、第十一电容、第七电阻、第八电阻和第九电阻；

9.根据权利要求1所述的磁控变压器，其特征在于，所述启停电路包括：外部接触器、第一双向可控硅晶闸管、第二双向可控硅晶闸管和第三双向可控硅晶闸管；

10.根据权利要求7所述的磁控变压器，其特征在于，所述第一双栅晶体管、所述第二双栅晶体管、所述第三双栅晶体管、所述第四双栅晶体管、所述第五双栅晶体管、所述第六双栅晶体管、所述第七双栅晶体管、所述第八双栅晶体管、所述第九双栅晶体管、所述第十双栅晶体管、所述第十一双栅晶体管、所述第十二双栅晶体管还可以被替换为场效应晶体管。