一种C0G温度稳定型陶瓷介质材料及其制备方法

1.一种陶瓷介质材料，其特征在于，包含baco3和/或bao、nd2o3、bi2o3、tio2以及dy2o3或ho2o3或er2o3。

2.根据权利要求1所述的陶瓷介质材料，其特征在于，按摩尔百分比由以下原料制成:

3.根据权利要求1所述的陶瓷介质材料，其特征在于，按摩尔百分比由以下原料制成:

4.根据权利要求1-3任一项所述的陶瓷介质材料，其特征在于，所述陶瓷介质材料的介电常数为150～160；

5.一种制备陶瓷介质材料的方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述baco3和/或bao、nd2o3、bi2o3、tio2以及dy2o3或ho2o3或er2o3的摩尔比为(15摩尔％～16摩尔％)：(2摩尔％～10摩尔％)：(5摩尔％～10摩尔％)：(55摩尔％～70摩尔％)：(0.5摩尔％～5摩尔％)；

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述第一混合处理是通过球磨烘干的方式进行的；

8.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述排胶处理的温度为500℃～600℃；

9.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述烧结处理的温度为1200℃～1280℃；

10.权利要求1-4中任一项所述的陶瓷介质材料或根据权利要求5-9中任一项所述方法制备获得的陶瓷介质材料在通讯、雷达或电子领域中的应用。