半导体器件的制作方法

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述二极管包括：所述第二类型的所述第一区域的一部分，其与所述第二类型的所述第一区域的其余部分相比是相对高掺杂的。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第二类型的所述第一区域的相对高掺杂的所述部分和所述第一类型的半导体的所述另外的区域提供齐纳二极管。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其中所述晶体管是横向双极结型晶体管，所述第一类型的所述第一区域和第二区域在所述第二类型的所述第一区域附近彼此横向间隔开并且与所述第二类型的所述第一区域位于同一侧。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件，所述半导体器件包括连接到所述第一类型的半导体的所述另外的区域的电端子，所述电端子提供所述二极管的端子。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中所述第一类型的半导体的所述另外的区域由已经沉积到半导体晶片上的半导体层提供，所述半导体层至少部分地限定提供所述晶体管的基极区域的第二类型的所述第一区域。

7.根据权利要求1或6中任一项所述的半导体器件，其中第一类型的半导体材料的所述第一区域和第二区域由沉积到半导体晶片上的半导体层提供，所述半导体层至少部分地限定提供所述晶体管的基极区域的第二类型的所述第一区域。

8.根据权利要求2-7中任一项所述的半导体器件，所述半导体器件包括用于所述晶体管的基极触点，所述基极触点与所述第二类型的所述第一区域的所述相对高掺杂的部分直接接触。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，所述半导体器件包括用于所述二极管的触点端子，所述触点端子与所述第一类型的半导体的所述另外的区域直接接触。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的半导体器件，其中所述第一类型的半导体的所述另外的区域包括：第一部分，所述第一部分是相对高掺杂的并且与所述第二类型的所述第一区域一起提供所述二极管；以及第二部分，所述第二部分是相对于所述第一部分相对轻掺杂的并且提供衬底层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，所述半导体器件包括多个所述第二类型的第一区域，所述多个所述第二类型的第一区域在所述衬底层内并且通过所述衬底层相互隔离。