具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置及方法

1.具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置，其特征在于，驱动信号控制电路为现场可编程门阵列芯片；驱动控制电路包括输出端a1、输出端a2和输出端a3。

3.根据权利要求1所述的具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置，其特征在于，多应力调控电路包括高压电源vin、输入电容cin、负载电阻rl、电流检测电阻rs、限流保护电阻r1、负载电感l、续流二极管d1、开关晶体管s1、开关晶体管s2和待测场效应晶体管dut；输入电容cin的正极连接高压电源vin的正极，输入电容cin的负极连接高压电源vin的负极；负载电阻rl的一端连接高压电源vin的正极，负载电阻rl的另一端连接负载电感l的一端；续流二极管d1的阴极连接高压电源vin的正极，续流二极管d1的阳极连接负载电感l的另一端；开关晶体管s1的漏极连接负载电感l的另一端，开关晶体管s1的源极连接待测场效应晶体管dut的漏极；待测场效应晶体管dut的源极连接电流检测电阻rs的一端；电流检测电阻rs的另一端接地连接；限流保护电阻r1的一端连接开关晶体管s1的源极，限流保护电阻r1的另一端连接开关晶体管s2的漏极，开关晶体管s2的源极接地连接。

4.根据权利要求3所述的具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置，其特征在于，输出端a1连接开关晶体管s1的栅极，控制开关晶体管s1的导通与关断；输出端a2连接待测场效应晶体管dut的栅极，控制待测场效应晶体管dut的导通与关断；输出端a3连接开关晶体管s2的栅极，控制开关晶体管s2的导通与关断。

5.根据权利要求2所述的具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置，其特征在于，钳位测量电路的一端连接待测场效应晶体管dut的漏极，钳位测量电路的另一端连接电流检测电阻rs的另一端；在待测功率场效应晶体管dut导通状态下，钳位测量电路采样获取待测功率场效应晶体管dut源极和漏极之间的导通压降。

6.根据权利要求5所述的具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置，其特征在于，导通电阻表征模块包括示波器、探头和处理显示组件；探头用于测量流经电流检测电阻rs上的检测电流，以及采样获取导通压降；示波器用于显示检测电流和导通压降；处理显示组件用于对检测电流和导通压降进行导通电阻的计算，并显示导通电阻。

7.具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征方法，其特征在于，根据权利要求1-6任一项所述的具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征装置来实现，通过以下步骤获得待测功率场效应晶体管dut的导通电阻并进行表征：

8.根据权利要求7所述的具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征方法，其特征在于，多应力调控电路根据接收到的驱动信号，向待测场效应晶体管dut施加电应力，包括：

9.根据权利要求7所述的具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征方法，其特征在于，电应力施加结束后，多应力调控电路根据接收到的驱动信号，控制待测场效应晶体管dut不受电应力影响，使其处于动态特性恢复阶段，包括：

10.根据权利要求7所述的具有多应力调控的场效应晶体管导通电阻表征方法，其特征在于，还包括，利用设置的监测控制电路对向待测场效应晶体管dut施加电应力的过程进行监测控制，具体包括：