锡终端金刚石和场效应晶体管的制备方法及相关产品与流程
技术特征：
1.一种锡终端金刚石的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述金刚石单晶外延层的第二表面形成导电终端区域和非导电终端区域，具体包括：
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体氢化处理的温度为900-1200℃，氢气流量为400-600sccm，气压为110-130 torr，处理时间为10-30min。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一锡终端区域和所述第二锡终端区域一一对应，所述第一非锡终端区域和所述第二非锡终端区域一一对应。
5.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述金刚石单晶外延层的第二表面形成导电终端区域和非导电终端区域之后，还包括：
6.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一snox薄膜进行构图，形成包括第一snox保留区域和第一snox去除区域的第一snox层，具体包括：
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述采用反应离子刻蚀技术对所述第一snox薄膜进行刻蚀时，反应离子刻蚀设备内通入的反应气体为hbr/ar的气体混合物，ar占所述气体混合物的百分比为0%-100%，输入功率为400-700w，气压为4-10mtorr。
8.一种锡终端金刚石，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的制备方法得到。
9.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括：
11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第二源极和所述第二漏极之后，且在形成第二栅介质层之前，还包括：
12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，当所述锡终端金刚石为双面锡终端金刚石时，在形成所述第二栅极之后，还包括：
13.一种场效应晶体管，其特征在于，采用如权利要求9-12任一项所述的制备方法得到。
14.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的场效应晶体管。
技术总结
本公开实施例提供了一种锡终端金刚石和场效应晶体管的制备方法及相关产品，生长的金刚石单晶外延层在降温过程中会出现应力不均匀而实现自剥离，因此可以省去金刚石单晶外延层的传统切割研磨工艺。并且，剥离的金刚石单晶外延层的第一表面直接含有第一锡终端区域，无需单独的第一锡终端区域的制备工艺流程，简化锡终端区域的制备流程。另外，本公开的制备方法可以一次获得2片单面锡终端金刚石，降低了金刚石单晶的加工制备成本与时间，提高了成品率，与现有的工艺兼容。并且，第一非锡终端区域和第二非锡终端区域可以作为后续制作的器件间的隔离区，因此本公开实施例在后续制备锡终端金刚石器件时，不需要做器件隔离，简化了工艺步骤。
技术研发人员：崔新春,张道华,胡浩林,万玉喜
受保护的技术使用者：深圳平湖实验室
技术研发日：
技术公布日：2024/11/21
技术研发人员：崔新春,张道华,胡浩林,万玉喜
技术所有人：深圳平湖实验室
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