一种EMIF存储控制接口的自适应参数配置方法与流程
技术特征:
1.一种emif存储控制接口的自适应参数配置方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的自适应参数配置方法,其特征在于,所述s1中存储器的种类有三种,三种存储器分别是异步存储器、同步静态存储器以及同步动态随机存储器。
3.根据权利要求2所述的自适应参数配置方法,其特征在于,所述片选空间ce的数量为四个,四个片选空间ce分别与三种存储器中的一种连接,且四个片选空间ce不连接在同一个存储器上。
4.根据权利要求3所述的自适应参数配置方法,其特征在于,所述s3具体包括如下步骤:
5.根据权利要求3所述的自适应参数配置方法,其特征在于,所述s4中的自适应配置法具体如下:
6.根据权利要求5所述的自适应参数配置方法,其特征在于,所述s413中的本地配置接口主要包含内部寄存器局部地址、读写信号、读写数据、读写响应。
7.根据权利要求3所述的自适应参数配置方法,其特征在于,所述s4中的循环遍历法具体如下:
技术总结
一种EMIF存储控制接口的自适应参数配置方法,包括:1、将主机与EMIF接口连接,然后将EMIF接口上的多个片选空间CE分别与不同和/或相同存储器连接;2、判断自适用配置功能是否启动,否则进入3中;是则进入4中;3、用户根据存储特性进行手动配置多个片选空间CE的参数;4、从自适应配置法和循环遍历法两种方法中择其一对多个片选空间CE的参数进行配置。本发明引入了自适应配置机制,对于三种存储类型分别有不同的配置模式,控制器根据连接的存储类型不同,分别以不同的策略进行参数自动配置,解决了用户需要了解存储特性,然后根据特性与时序手动进行参数配置并不断调试的技术问题,缩短了项目开发时间。
技术研发人员:龚国辉,刘城,刘柯源,伍玉良,王永庆
受保护的技术使用者:湖南长城银河科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/18
文档序号 :
【 40050626 】
技术研发人员:龚国辉,刘城,刘柯源,伍玉良,王永庆
技术所有人:湖南长城银河科技有限公司
备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明 :此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
技术研发人员:龚国辉,刘城,刘柯源,伍玉良,王永庆
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